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SUM90N08-7m6P
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
25 °C, unless otherwise noted
1000
100
Limited by R DS(on) *
10
1
100 μs
1 ms
10 ms, 100 ms
1 s, 10 s, DC
0.1
T A = 25 °C
Single P u lse
BVDSS
10
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.01
0.1
1
10
100
t in (s)
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Single Pulse Avalanche Current Capability vs. Time
* V GS
minim u m V GS at w hich r DS(on) is specified
Safe Operating Area
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.1
0.02
Single P u lse
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
S qu are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see http://www.vishay.com/ppg?69578.
Document Number: 69578
S-80799-Rev. B, 14-Apr-08
www.vishay.com
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